KIP publications

year 2019
author(s) Toni Seiler
title Untersuchungen von Oberflächenstrukturen mit optischer Rasternahfeldmikroskopie und Spektroskopie
KIP-Nummer HD-KIP 19-88
KIP-Gruppe(n) F6
document type Bachelorarbeit
Abstract (de)

In der vorliegenden Arbeit wurden dünne Schichten des organischen Halbleitermaterials TAPP-Br mit unterschiedlichen Morphologien mit Hilfe eines optischen Rasternahfeld Mikroskops untersucht. Durch den Vergleich von Messungen der optischen Phase des gestreuten Lichtes mit der zugehörigen Topographie konnten hierbei Materialkontraste auf den jeweiligen Probenoberflächen identifiziert und durch die Aufnahme von Nano-FTIR Spektren genauer charakterisiert werden. Bei den Messungen an auf gezonecastetem TAPP-Br konnten Verunreinigungen und Orte an denen das Material eine von der Norm abweichende Orientierung besitzt auf kleinsten Skalen genauer untersucht werden. Des weiteren wurden Nahfeldspektren mit herkömmlichen FTIR-Spektren von dünnen TAPP-Br Filmen auf Gold und Silizium verglichen. Die Fernfeldspektren wurden hierbei für TAPP-Br auf Silizium in-situ während der Herstellung, und für verschiedene Einfallswinkel aufgenommen, für TAPPBr auf Gold wurde eine Messung in IRRAS Geometrie durchgeführt. Zum Abschluss wurden das Nahfeldspektrum und die Oberflächenstruktur, eines dünnen Films, von mit Kalzium koverdampftem TAPP-Br mit den Nahfeldspektren des TAPP-Br auf Gold und Silizium verglichen.

Abstract (en)

In the thesis at hand various surface structures were investigated with a scattering-type scanning near-field optical microscope (s-SNOM). By comparison of recordings for the optical phase with the topography of the sample it was possible to determine differences in the composition of the surface of the respective samples, which were further investigated with Nano-FTIR spectra. In a sample of TAPP-Br zonecasted on silicon it was possible to identify small polluting particles and areas, in which the orientation of the material did differ compared to the rest of the sample. Furthermore a comparison between the near field spectrum and conventional far field spectra of thin TAPP-Br films on silicon and gold was made. The far field spectra of TAPP-Br on silicon where taken in situ in the UHV chamber and under different angles of incidence in an external UHV-IR spectrometer, while the far field spectrum on gold was taken in IRRAS-geometry. In the last part of the thesis the near field spectra and the surface structures of a thin film of TAPP-Br coevaporated with calcium and the thin TAPP-Br films on gold and silicon were compared.

Datei pdf
KIP - Bibliothek
Im Neuenheimer Feld 227
Raum 3.402
69120 Heidelberg