KIP publications

year 2011
author(s) Marc Hänsel
title Degradation organischer Halbleiterschichten
KIP-Nummer HD-KIP 11-63
KIP-Gruppe(n) F6
document type Bachelorarbeit
Keywords (shown) Degradation, organische Halbleiter, Infrarot Ellipsometrie, Silizium
Abstract (de)

In dieser Arbeit wurde der organische Halbleiter Di-Chlorinated Naphthalene Tetra-carboxylic Diimid with fluoroalkyl chain, hier NDI-F genannt, auf Degradation durch Temperatur und hohe Luftfeuchtigkeit untersucht. Als Messmethode wurde Infrarot-Ellipsometrie verwendet. Das Substrat war bei allen verwendeten Proben einseitig poliertes Silizium. Die Proben wurden von BASF SE durch spin coating aufgebracht. Mit Hilfe der Messdaten wurde für Silizium und NDI-F ein Modell für die dielektrische Funktion erstellt. Anhand der Siliziumproben wurden Effekte der ZnSe-Fenster einer für die Temperaturmessungen verwendeten Heizzelle untersucht. Bei den verwendeten NDI-F Proben mit einer Dicke von etwa 40 nm wurde eine Veränderung der Struktur gegenüber früheren Proben mit unter 20 nm Dicke festgestellt. Temperaturen bis 50(2) °C riefen eine kleine Degradation der Probe hervor. Beim Erhitzen auf 60(5) °C begann die Probe zu verdampfen. Die Behandlung mit über 95% Luftfeuchtigkeit führte zu kleinen Veränderungen. Eine Behandlung mit 40,0(1) °C und 50,0(1) °C und über 95 % Luftfeuchtigkeit führte zu einer deutlichen Strukturänderung.

Abstract (en)

In this thesis the organic semiconductor Di-Chlorinated Naphthalene Tetracarboxylic Diimid with fluoroalkyl chain, here referd to as NDI-F, was investigated regarding degradation by temperature and high humidity. Infrared-ellipsomterie was used as measurement method. The substrate of all samples was one-side-polished silicon. The samples were applied by spin coating by BASF SE. A model for the dielectric function for silicon and NDI-F was created with the results from the measurements. With the help of the silicon sample the influence of the ZnSe windows of the heatcell, used for temperature measurements, was investigated. Those of the used NDI-F samples with a thickness of around 40 nm showed a change in structure compared to earlier samples with a thickness under 20 nm. The temperature treatment caused small degradation of the sample. The sample was stable up to 50(2) °C, but evaporated after a 60(5) °C temperature treatment. The treatment with over 95 % humidity lead to small changes in the sample"s structure. A treatment with 40 °C and 50 °C and over 95 % humidity degraded the sample and lead to a structural change.

bibtex
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  author   = {H\{"a}nsel, Marc},
  title    = {{Degradation organischer Halbleiterschichten}},
  school   = {Ruprecht-Karls-Universit{\"{a}}t},
  year     = {2011},
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  address  = {Heidelberg}
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